Il controller

Come avrete notato dalle precedenti immagini lo chassis del Patriot Ignite è privo di viti per tenere in sede il PCB e le due parti dello chassis. Patriot per la serie Ignite ha scelto di utilizzare un classico sistema ad incastro che permette di risparmiare  ulteriormente sull’assemblaggio dello stesso.

Avrete comunque notato che Patriot nel retro e precisamente sull’adesivo riporta una frase con la quale dice agli utenti finali che se tale adesivo sarà rimosso o lo chassis sarà danneggiato o presenterà segni di apertura, la garanzia decadrà.

Per potervi mostrare il PCB e la relativa componentistica del Patriot Ignite, ci siamo muniti di piccoli Tools in plastica, gli stessi per aprire gli smartphone o tablet, e con tre semplici mosse abbiamo sganciato i fermi  delle due parti dello chassis in modo da poter accedere all’interno del drive.

Rimosso il coperchio principale, abbiamo proceduto ad estrarre anche il PCB con lo stesso metodo.

Avremo dunque e finalmente il PCB dinanzi a noi. Il PCB impiegato per il Patriot Ignite è di dimensioni dimezzate rispetto ad un PCB Full Size ma non per questo manca di componenti di qualità.

Nella parte frontale del PCB spicca immediatamente il controller Phison PS3110-S10 il quale è stato posto in posizione obliqua rispetto alle NAND ed alla DRAM Cache. Notiamo anche come oltre alla sigla completa Phison PS3110-S10-X questo controller non abbia nessun pad termico posto su di esso segno che lo stesso ha un valore TDP davvero basso tale per cui non vi è la necessità di dissiparlo. Come vi avevamo detto, il nuovo controller di Phison PS3110-S10-X è un controller quattro core ed otto canali dotato di tecnologia di correzione errori BCH ECC a 115bits/2kB nonché altre caratteristiche e tecnologie come l’end-to-end data path protection (ETEP) o ancora il wear-leveling che assicura prestazioni valide anche dopo utilizzi particolarmente intensivi.

A seguire troviamo il modulo DRAM Cache di produzione Nanya siglato NT5CC256M16CP-DI da 512MB e tipo DDR3L-1333. Infine, nel lato principale trovano posto anche i primi quattro degli otto moduli MLC NAND Flash a 16nm di produzione IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) siglati IP79G5SAPH e di tipo asincrono nonché con una densità di ciascun modulo di 64Gb.

Nel retro del PCB infine troviamo gli altri quattro moduli MLC NAND Flash che ricordiamo essere di tipo asincrono. Non manca la predisposizione ad un ulteriore modulo DRAM Cache che troveremo nel modello da 960GB.

Possiamo procedere alla fase di test.